Оперативная память стр260
Время цикла, указанное в наносекундах, соответствует реальной частоте работы памяти,
но память DDR передает данные дважды за один рабочий цикл, поэтому эффективная часто-
та памяти DDR всегда равна удвоенной реальной частоте. Пропускная способность такой па-
мяти равна ширине шины данных, умноженной на эффективную частоту. В результате будет
получен объем данных, который может быть записан в модуль памяти или считан из него.
Как и для модулей DDR SDRAM SO-DIMM, важной характеристикой модулей micro-
DIMM является CAS Latency (column address strobe), или CL. Иногда эта характеристика на-
зывается задержкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов
между регистрацией сигнала CAS и фактической передачей данных. Меньшее значение пара-
метра означает большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL,
равный 2,5 или 2. Если это возможно, выбирайте модули с более низким значением параметра
CL, так как набор микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM
SPD (serial presence detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быст-
рый режим работы.
Модули DDR SDRAM micro-DIMM со 172 контактами имеют стандартную форму
|
| Категория: Оперативная память | Добавил: mor (07.03.2010)
|
| Просмотров: 374
| Рейтинг: 0.0/0 |
|