Оперативная память стр258
Пропускная способность равна частоте, умноженной на ширину данных. В результате по-
лучается скорость, с которой данные могут быть записаны или прочитаны из модуля.
Как и для модулей SDRAM SO-DIMM, важной характеристикой модулей micro-DIMM яв-
ляется CAS Latency (column address strobe), или CL. Иногда эта характеристика называется за-
держкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов между регист-
рацией сигнала CAS и фактической передачей данных. Меньшее значение параметра означает
большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2 или 3.
Если это вшможно, выбирайте модули с более низким значением параметра CL, так как набор
микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence
detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быстрый режим работы.
(Контакты 2-144 на обратной стороне)
Рис. 6.6. 144-коитпктныс модули SDRAM micro-DIMM
Все 144-контактные модули SDRAM micro-DIMM имеют нечетные контакты A-143) на
передней панели и четные B-144) — на задней. Длина модуля составляет 1,5 дюйма C8 мм),
а высота — 1,18 дюйма C0 мм). Количество микросхем в модуле зависит от их объема.
Модули обычно снабжены микросхемой ROM SPD, от которой системная плата получает
конкретные спецификации установленного модуля. Микросхема ROM показана на рис. 6.6 в
виде компонента "U5".
Модули отличаются небольшим вырезом в левой части, который препятствует непра-
вильной установке в разъем системной платы.
|
| Категория: Оперативная память | Добавил: mor (07.03.2010)
|
| Просмотров: 385
| Рейтинг: 0.0/0 |
|