Оперативная память стр256
Хотя промышленными стандартами допускается использование модулей с напряжением
питания 1,5 В, на данный момент в большинстве ноутбуков установлены модули с пазом ле-
вого смешения, что означает напряжение питания 2,5 В. Паз помогает предотвратить уста-
новку модулей с неподходящим напряжением питания.
Существует несколько вариантов 200-контактных модулей SO-DIMM, объем которых мо-
жет достигать 1 Гбайт. В модулях используются микросхемы памяти DDR SDRAM с различ-
ными тактовыми частотами. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.17.
Таблица в. 17. Объем, глубина и разрядность 200-контактных модулей SO-DIMM
Объем, Мбайт
Глубин!и разрядность
32
64
128
256
512
1
4 х 64 бит
в х 64 бит
16x64 бит
32x64 бит
64x64 бит
128хБ4бит
Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность. Ширина ши-
ны данных 64 бит для 200-контактиого модуля соответствует 8 байтам. Например, модуль
объемом 1 Гбайт организован в виде 128 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что составля-
ет 1024 млн. байт A28 млн. х 8).
Стандартные назначения контактов 200-контактного модуля SO-DIMM приведены в
табл. 6.18 и 6.19.
|
| Категория: Оперативная память | Добавил: mor (07.03.2010)
|
| Просмотров: 373
| Рейтинг: 0.0/0 |
|