Оперативная память стр256
Хотя промышленными стандартами допускается использование модулей с напряжением питания 1,5 В, на данный момент в большинстве ноутбуков установлены модули с пазом ле- вого смешения, что означает напряжение питания 2,5 В. Паз помогает предотвратить уста- новку модулей с неподходящим напряжением питания. Существует несколько вариантов 200-контактных модулей SO-DIMM, объем которых мо- жет достигать 1 Гбайт. В модулях используются микросхемы памяти DDR SDRAM с различ- ными тактовыми частотами. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.17. Таблица в. 17. Объем, глубина и разрядность 200-контактных модулей SO-DIMM Объем, Мбайт Глубин!и разрядность 32 64 128 256 512 1 4 х 64 бит в х 64 бит 16x64 бит 32x64 бит 64x64 бит 128хБ4бит Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность. Ширина ши- ны данных 64 бит для 200-контактиого модуля соответствует 8 байтам. Например, модуль объемом 1 Гбайт организован в виде 128 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что составля- ет 1024 млн. байт A28 млн. х 8). Стандартные назначения контактов 200-контактного модуля SO-DIMM приведены в табл. 6.18 и 6.19.
|
Категория: Оперативная память | Добавил: mor (07.03.2010)
|
Просмотров: 372
| Рейтинг: 0.0/0 |
|