Оперативная память стр254
Время цикла, указанное в наносекундах (миллиардных долях секунды), соответствует ре-
альной частоте работы памяти, однако память DDR передает данные дважды за один цикл,
поэтому эффективная частота памяти DDR всегда равна удвоенной реальной частоте. Пропу-
скная способность такой памяти равна ширине шины данных, умноженной на эффективную
частоту. В результате будет получен объем данных, который можно записать в модуль или
считать из него за секунду реального времени.
Еще одной важной характеристикой является CAS Latency (column address strobe), или
CL. Иногда эта характеристика называется задержкой чтения (read latency). Этим парамет-
ром описывается количество тактов между регистрацией сигнала CAS и фактической переда-
чей данных. Меньшее значение параметра означает большую производительность. Обычно
модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2,5 или 2. Если это возможно, выбирайте моду-
ли с более низким значением параметра CL, так как набор микросхем системной платы счита-
ет это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence detect), установленной в модуле
памяти, и переключится на более быстрый режим работы.
|
| Категория: Оперативная память | Добавил: mor (07.03.2010)
|
| Просмотров: 351
| Рейтинг: 0.0/0 |
|